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本发明公开了一种氢气传感器芯体及其制备方法和氢气传感器,该氢气传感器芯体包括半导体衬底以及在其上设置的源极和漏极、沟槽区、介质层、氢气敏感层和金属电极层。其制备方法包括在半导体衬底上述制备源极和漏极、沟槽区、介质层、氢气敏感层和金属电极层。本发明氢气传感器芯体具有检测下限低、灵敏度高、响应时间短等优点,由其制备的氢气传感器,能够检测到的氢气浓度下限非常低,达50ppm,能及早发现微弱氢气的泄露,起到提前报警的作用;响应时间小于60s,能实时监测环境中氢气浓度的变化;灵敏度达到105A/A以上,能
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113406161 A
(43)申请公布日 2021.09.17
(21)申请号 202110619794.X
(22)申请日 2021.06.03
(71)申请人 中国电子科技集团公司第四十八研
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