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本发明公开了一种双向瞬态电压抑制器件及其制备方法,属于半导体保护器件领域,包括:衬底、阱区;阱区包括第一预设区域和第二预设区域,第一预设区域内包括间隔布设的第一掺杂区;第二预设区域包括:场掺杂区,场掺杂区间隔布设于阱区内;第二掺杂区,设置于场掺杂区之间,第二掺杂区的邻边与场掺杂区紧密贴合,且第二掺杂区分别位于每个第一掺杂区的上表面;场氧化层自场掺杂区内形成,且凸出于场掺杂区。本发明技术方案的有益效果在于:同时具有击穿电压低,负阻特性更大的特性,因此具有更低的钳位电压,因此具有超低触发电压和超低钳
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113380787 B
(45)授权公告日 2022.02.25
(21)申请号 202110927439.9 H01L 21/8222 (2006.01)
(22)申请日
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