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本发明公开了一种III族氮化物晶体管的制备方法，包括如下步骤：1)提供生长衬底；2)在所述生长衬底上，形成包括III族氮化物的多层膜结构：所述多层膜结构包括生长在所述生长衬底上的牺牲层、生长在所述牺牲层上的器件层和生长在所述器件层上的载体层，所述器件层包括电子通道；3)除去所述生长衬底；4)蚀刻所述牺牲层，暴露器件层的表面；5)形成晶体管，在器件层远离载体层的暴露的表面形成源极、栅极和漏极。还公开了一种栅极的形成方法，以及一种III族氮化物晶体管。与现有技术相比，本发明的优点在于：晶体管的源极、
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113437145 A
(43)申请公布日 2021.09.24
(21)申请号 202110637757.1
(22)申请日 2021.06.08
(71)申请人 苏州奥谱毫通电子科技有限公司
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