多栅极的半导体结构及其制造方法.pdfVIP

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2023-06-22 发布于四川
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多栅极的半导体结构及其制造方法.pdf

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本发明提供一种多栅极的半导体结构及其制造方法。此半导体结构包括一衬底，包含一主动区以及一隔离结构位于主动区的一侧。一些实施例的半导体结构亦包括一栅极结构位于衬底的上方，此栅极结构包含位于衬底的顶面上方的第一部份，以及连接第一部份的第二部份。其中第二部份延伸至隔离结构中，且隔离结构直接接触第二部份的侧壁与底面。一些实施例的半导体结构还包括一栅极介电层，位于栅极结构和衬底之间。根据一些实施例的半导体结构的制造方法，是对隔离结构进行部份刻蚀以形成沟槽，此沟槽暴露出衬底的侧壁的顶部，而后续形成的栅极介电

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113410228 A (43)申请公布日 2021.09.17 (21)申请号 20201