激光芯片及其制备方法.pdfVIP

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2023-06-22 发布于四川
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激光芯片及其制备方法.pdf

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本发明公开一种激光芯片及其制备方法，该方法包括提供激光外延结构，激光外延结构包括有源层以及依次层叠于有源层上的包覆层和接触层；在接触层上覆盖第一掩膜层，并对第一掩膜层进行开窗以形成第一窗口区；经第一窗口区对接触层进行一次蚀刻，以形成与第一窗口区对应且外露包覆层的第二窗口区；经第一窗口区和第二窗口区对包覆层和有源层进行锌扩散；去除第一掩膜层；在接触层上覆盖第二掩膜层，并对第二掩膜层进行开窗以形成第三窗口区，其中第三窗口区在接触层的投影位于第二窗口区的外围；经第三窗口区对接触层进行二次蚀刻，以将第二

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113394657 A (43)申请公布日 2021.09.14 (21)申请号 20201