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本发明公开了一种抗辐照结型场效应晶体管的制作方法，包括以下过程，在P型硅衬底形成P型外延层，在P型外延层形成第一介质层；在第一介质层上进行光刻形成保护环区；对保护环区进行P型注入，形成P型掺杂区；在P型外延层的第一介质层上进行光刻形成漂移区，在漂移区上进行N型注入，形成N型掺杂区；在漂移区上通过光刻形成源漏区，再进行N型注入，形成N型掺杂区；在漂移区上进行光刻形成栅区；所述栅区贯穿漂移区，并延伸至P型外延层，在栅区中进行多次P型注入并退火，形成P型掺杂区；在漂移区内形成源极电极和漏极电极；在表面
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113410135 A
(43)申请公布日 2021.09.17
(21)申请号 202110663133.7
(22)申请日 2021.06.15
(71)申请人 西安微电子技术研究所
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