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本发明的两头磨削方法包括：第1磨削工序，一边向第1晶片的第1、第2主面供给规定量的磨削液，一边进行磨削直至第1晶片的厚度成为规定厚度；纳米形貌测量工序，测量第1晶片的纳米形貌；及第2磨削工序，根据纳米形貌测量工序的测量结果，将磨削条件调整成第2晶片的纳米形貌接近0，并进行磨削直至第2晶片的厚度成为所述规定厚度，第2磨削工序中，通过一边维持第1磨削工序的磨削液的总供给量，一边调整对第2晶片的第1主面的磨削液的供给量与对第2主面的磨削液的供给量的比率，从而对第2晶片进行磨削。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113396030 A
(43)申请公布日 2021.09.14
(21)申请号 201980086217.X (74)专利代理机构 中国专利代理(香港)有限公
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