半导体存储器器件及其制造方法.pdfVIP

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2023-06-22 发布于四川
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半导体存储器器件及其制造方法.pdf

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公开了一种半导体存储器器件。所述器件可以包括：第一杂质区域和第二杂质区域，设置在衬底中且彼此间隔开，所述第二杂质区域具有比所述第一杂质区域高的顶表面；器件隔离图案，介于所述第一杂质区域与所述第二杂质区域之间；第一接触塞，与所述第一杂质区域接触并具有比所述第二杂质区域的顶表面低的底表面；间隙填充绝缘图案，介于所述第一接触塞与所述第二杂质区域之间；第一保护间隔物，介于所述间隙填充绝缘图案与所述第二杂质区域之间；以及第一间隔物，与所述第一接触塞的侧表面和所述器件隔离图案接触，并且介于所述第一保护间隔物

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113410225 A (43)申请公布日 2021.09.17 (21)申请号 202011481686.2 H01L 43/08 (2006.01)