半导体存储装置.pdfVIP

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实施方式提供能够提高动作可靠性并能够缩小存储单元阵列区域的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备在存储槽(MST0a)中以排列间距为规定距离(P)的方式沿X方向排列且沿Z方向延伸的多个存储柱(MP0a)、和在存储槽(MST1a)中以排列间距为规定距离(P)的方式沿X方向排列且沿Z方向延伸的多个存储柱(MP1a)。存储柱(MP1a)的排列相对于存储柱(MP0a)的排列在X方向错开比规定距离(P)的一半短的距离。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113437081 A (43)申请公布日 2021.09.24 (21)申请号 202010883049.1 (22)申请日 2020.08.28 (30)优先权数据

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