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本发明提供一种具有复合层结构的高压HEMT器件,包括:衬底、设置在衬底上的非故意掺杂的AlxGa1‑xN层,设置在AlxGa1‑xN层上的非故意掺杂的GaN层、设置在GaN层表面上非故意掺杂的梳指状AlyGa1‑yN层,梳指状AlyGa1‑yN层为从漏区向源区方向延伸的平行的AlyGa1‑yN条状区域,这些条状区域在漏区及漂移区邻近漏区的部分连为一体,梳指状AlyGa1‑yN层表面上设有源极、漏极和栅极;本发明提出的HEMT器件在保证高击穿电压的同时实现了较小的寄生电容,适用于对于输出功率和工作
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113394283 B
(45)授权公告日 2023.04.14
(21)申请号 202110709031.4 H01L 21/335 (2006.01)
(22)申
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