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本公开提供了一种半导体装置的形成方法，包括：形成在基板的第一区域上方突出的第一半导体条(strip)以及在基板的第二区域上方突出的第二半导体条；形成隔离区于第一半导体条与第二半导体条之间；在第一半导体条及第二半导体条的多个侧壁上并沿着侧壁形成栅极堆叠；蚀刻沟槽，沟槽延伸至栅极堆叠及隔离区中，且沟槽露出基板的第一区域以及基板的第二区域；形成介电层于沟槽的侧壁及底面上；以及在介电层上及沟槽中填充导电材料以形成接触件，其中接触件在隔离区的最底表面下方延伸。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113421855 A
(43)申请公布日 2021.09.21
(21)申请号 202110533897.4
(22)申请日 2021.05.17
(30)优先权数据
16/881,93
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