半导体存储器件及其制造方法.pdfVIP

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2023-06-22 发布于四川
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半导体存储器件及其制造方法.pdf

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本申请提供了一种半导体存储器件及其制造方法，半导体存储器件包括：第一杂质区和第二杂质区，在半导体衬底中间隔开；位线，电连接到第一杂质区；存储节点接触部，电连接到第二杂质区；气隙，在位线与存储节点接触部之间；着落焊盘，电连接到存储节点接触部；掩埋介电图案，在着落焊盘的侧壁上且在气隙上；以及间隔物封盖图案，在掩埋介电图案与气隙之间。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113410235 A (43)申请公布日 2021.09.17 (21)申请号 202110288110.2 (22)申请日 2021.03.17 (30)优先权数据 10-2020-0