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- 2023-06-22 发布于四川
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本文所公开的主题涉及宽带隙半导体功率器件，并且更具体地涉及用于形成如电荷平衡(CB)碳化硅(SiC)功率器件等SiC功率器件的高能量植入掩模。一种中间半导体器件结构(126)包括：具有第一导电类型的碳化硅(SiC)衬底层(36)；以及具有所述第一导电类型的SiC外延(epi)层(34)，所述SiCepi层布置在所述SiC衬底层(36)上。所述中间半导体器件结构(126)还包括硅高能量植入掩模(SiHEIM)(40)，所述SiHEIM直接布置在所述SiCepi层(34)的第一部分上并且具有介于
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113412536 A
(43)申请公布日 2021.09.17
(21)申请号 201980077888.X (74)专利代理机构 上海脱颖律师事务所 31259
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