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本公开涉及一种制造薄膜晶体管的方法。该方法可以包括：提供基板；在基板上形成有源层和覆盖有源层的栅极绝缘材料层；在所述栅极绝缘层的远离所述基板的表面上形成栅极层；在栅极层上形成包括第一光致抗蚀剂的第一光致抗蚀剂图案；在第一光致抗蚀剂图案上形成包括第二光致抗蚀剂的第二光致抗蚀剂图案；对栅极层执行第一蚀刻以形成栅极；以及使用第一光致抗蚀剂图案和第二光致抗蚀剂图案作为掩模对栅极绝缘材料层执行第二蚀刻，以形成栅极绝缘层；其中第一光致抗蚀剂不同于第二光致抗蚀剂。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113424302 A
(43)申请公布日 2021.09.21
(21)申请号 202080000006.2 (51)Int.Cl.
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