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- 2023-06-22 发布于四川
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本发明涉及5G通信用芯片领域,提供一种对芯片工作时由于自热现象产生较高结温进行有效散热的通信用高频功放芯片的封装结构,它包括设有用于放置芯片的铜底座,所述铜底座上设有复合凹槽,所述复合凹槽包括有第一凹槽,和从第一凹槽衍生向周侧发散延伸的多个第二凹槽,所述第二凹槽被置于第一凹槽周侧的一倾斜面上延伸;所述复合凹槽内还设有烧结胶,所述烧结胶上放置GaN芯片,所述GaN芯片通过至少一条金属焊丝电连接位于所述铜底座上的被动元件和引线脚。本发明加快了热量的传导速度,提高了高频功放芯片的使用寿命,适用于芯片封
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113394180 B
(45)授权公告日 2022.05.31
(21)申请号 202110648693.5 H01L 23/373 (2006.01)
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