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本发明涉及一种晶圆卡盘温度量测及温度校准的方法和温度量测系统。该量测方法包括在晶圆卡盘上放置测试晶圆，测试晶圆上形成有电性参数随温度具有函数变化的多个半导体器件，使晶圆卡盘的温度达到设定温度，对半导体器件进行量测，获取半导体器件对应的电性参数；根据电性参数和电性参数随温度的函数变化获取半导体器件的实际温度；根据半导体器件的实际温度获取晶圆卡盘的实际温度分布；其中，设定温度大于等于半导体器件所能承受的最小临界温度且小于等于半导体器件所能承受的最大临界温度。本方案消除了周围环境对晶圆卡盘测量温度的影
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113432737 A
(43)申请公布日 2021.09.24
(21)申请号 202010196028.2
(22)申请日 2020.03.19
(71)申请人 长鑫存储技术有限公司
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