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该发明涉及一种半导体器件及半导体器件的形成方法,能够减小存储器芯片尺寸、提升存储器芯片生产良率,其中所述半导体器件,包括:衬底;形成于所述衬底表面的电容柱,所述电容柱的长度方向垂直于所述衬底表面,包括:至少三个竖向放置的电极层,构成所述电容柱的侧壁,且相邻两电极层之间夹设有一电介质层;至少两层支撑层,形成于所述电容柱内部,与所述电容柱的侧壁相接触,用于支撑所述侧壁,且相邻两支撑层之间以空槽隔开。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113451310 B
(45)授权公告日 2022.03.22
(21)申请号 202010228551.9 (56)对比文件
(22)申请日 2020.03.27
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