一种波导器件及其制备方法.pdfVIP

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2023-06-23 发布于四川
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一种波导器件及其制备方法.pdf

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本发明公开一种波导器件及其制备方法，涉及半导体制造技术领域，以解决在氮化硅薄膜厚度较厚的情况下，在大面积生长氮化硅薄膜时，氮化硅薄膜存在较大的应力，易产生裂纹，从而影响波导器件的性能的技术问题。包括：提供一基底；在第一介质层上形成具有至少一个区域槽的第二介质层。当第二介质层的厚度大于预设厚度时，第二介质层包括多次形成的多个第二子介质层。其中，第二介质层为氮化硅介质层，形成每个第二子介质层均包括：在第一介质层上淀积第二介质材料层，对第二介质材料层依次进行第一图案化处理和热处理，得到第二子介质层，在

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113471656 B (45)授权公告日 2022.05.06 (21)申请号 202110604680.8 审查员曹乾 (22)申请日 2021.05.31