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本发明涉及一种氢气传感器及其制备方法,该氢气传感器包括衬底和氢敏薄膜。衬底包括支撑区和悬空区,衬底在悬空区设有凹槽。氢敏薄膜设于衬底的支撑区和悬空区上;在支撑区,氢敏薄膜与衬底贴合;在悬空区,氢敏薄膜与衬底的凹槽底壁之间具有间隙。上述氢气传感器采用具有凹槽的衬底,使得氢敏薄膜在该悬空区为悬空状态,悬空区的氢敏薄膜为近自由状态;相比于受衬底束缚的支撑区的氢敏薄膜,其在吸氢时具有更大的形变,对入射光的反射效果变化迅速,反射率极速下降,从而产生更强的光散射,同时具有更快的响应速度。由于悬空区的氢敏薄膜
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113533257 B
(45)授权公告日 2023.03.28
(21)申请号 202110592855.8
(22)申请日 2021.05.28
(65)同一申请的已公布的文献号
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