半导体器件及其制作方法.pdfVIP

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2023-06-23 发布于四川
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半导体器件及其制作方法.pdf

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本发明公开了半导体器件及其制作方法，其中，半导体器件包括外延基片和复合钝化层，外延基片包括势垒层，势垒层上表面设有源电极、漏电极和栅电极；复合钝化层包括第一钝化层和第二钝化层，第二钝化层位于第一钝化层的上层，复合钝化层设置于源电极和漏电极之间，栅电极设置于复合钝化层，第一钝化层含有负离子，在栅电极和漏电极之间的第一钝化层设置有至少一个开孔，以形成负离子孤岛阵列。本发明采用复合钝化层，在沉积第一钝化层时直接加入负离子，然后在栅电极和漏电极之间的第一钝化层选区开孔，形成负离子钝化孤岛，达到类浮空场板

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113540229 B (45)授权公告日 2022.07.12 (21)申请号 202110656086.3 (51)Int.Cl.