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本发明总体地涉及二维材料制备技术领域，提供了一种二维二碲化钼（MoTe2）纳米材料的限域化学气相沉积制备方法，包括下列步骤：（1）准备两块基底，标记为基底A和基底B；将基底A的抛光面进行等离子表面处理；（2）在处理后的基底A的表面涂覆钼酸钠溶液以形成钼酸钠涂层；（3）构筑限域生长环境：将基底A的钼酸钠涂层面和基底B的抛光面以面对面的方式叠合，其中基底B在上，两者构成微米级狭缝（1‑30微米）的叠层基底；（4）通过放置位置设置使碲粉先被加热成碲蒸汽，然后与快速引入加热区的叠层基底中的钼源在限域中反
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113428845 B
(45)授权公告日 2021.12.03
(21)申请号 202110978282.2 B82Y 40/00 (2011.01)
(22)申请日
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