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本发明公开了一种中心对称SiC基GaN肖特基二极管，涉及太赫兹器件技术领域。所述二极管包括位于中间的第一焊盘以及位于第一焊盘两侧的第二焊盘，其中所述第一焊盘与左侧的第二焊盘之间形成有一个肖特基二极管结，所述第一焊盘与右侧的第二焊盘之间形成有一个肖特基二极管结，所述第一焊盘的上表面的中心形成有一条外端悬空的梁式引线，所述梁式引线的悬空部分的长度相等。所述二极管能够提高使用良率且散热性好、可靠性高。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113451418 A
(43)申请公布日 2021.09.28
(21)申请号 202110836305.6
(22)申请日 2021.07.23
(71)申请人 深圳市电科智能科技有限公司
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