一种用于HVPE反应炉的限域生长环及氮化物晶体生长方法.pdfVIP

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2023-06-23 发布于四川
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一种用于HVPE反应炉的限域生长环及氮化物晶体生长方法.pdf

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本发明公开了一种用于HVPE反应炉的限域生长环及氮化物晶体生长方法。本发明采用钨、钌和钼中的一种，或者采用钨、钌和钼中的一种的碳化物或氮化物的限域生长环，经过清洗、退火和激活使限域生长环的功能面具备化学活性；将限域生长环置于反应炉生长区中，生长过程中限域生长环对晶体侧向生长进行限制，从而阻止晶体的边缘生长，遏制生长过程中产生边缘效应，减少生长过程中产生的应力，最终实现厘米级GaN体晶生长；本发明实现方法简单，根据现有的技术水平能够容易实现，并大量推广；限域生长环能够经过热清洗后重复使用，节约了限

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113463200 B (45)授权公告日 2022.02.11 (21)申请号 202110711924.2 审查员苏汀 (22)申请日 2021.06.25