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2023-06-23 发布于四川
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凸块缓冲封装结构和凸块缓冲封装结构的制备方法.pdf

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本发明的实施例提供了一种凸块缓冲封装结构和凸块缓冲封装结构的制备方法，涉及半导体封装技术领域，凸块缓冲封装结构，包括基底晶圆、钝化层、第一介电层、线路层、导电凸起和第二介电层，通过在第一介电层中设置金属缓冲结构，且金属缓冲结构包括分布在导电凸起下方的多个第一金属块，多个第一金属块间隔设置且均贯穿第一介电层，每个第一金属块分别与线路层和钝化层接触，通过设置多个第一金属块，能够有效地缓冲导电凸起底部产生的应力，能够有效实现应力释放，避免应力引起的产品性能下降甚至失效的问题。同时能够提升第一介电层的导

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113517249 B (45)授权公告日 2021.12.21 (21)申请号 202111058854.1 H01L 23/367 (2006.01)

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