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本公开涉及一种半导体结构的形成方法。该方法包括提供结构，具有栅极堆叠；第一栅极间隔物；第二栅极间隔物位于第一栅极间隔物之一上，并具有上侧部分于下侧部分上；虚置间隔物；蚀刻停止层；以及虚置盖。方法还包括移除虚置盖，以形成第一空洞于栅极堆叠上与第一栅极间隔物之间；移除虚置间隔物，以形成第二空洞于下侧部分上以及蚀刻停止层与上侧部分之间；沉积可分解材料层至第一空洞与第二空洞中；沉积密封层于蚀刻停止层、第一栅极间隔物、第二栅极间隔物、与可分解材料层上；以及移除可分解材料层，以再形成至少部分的第一空洞与第二
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113451210 A
(43)申请公布日 2021.09.28
(21)申请号 202110274614.9
(22)申请日 2021.03.15
(30)优先权数据
16/888,13
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