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本发明实施例提供一种晶圆刻蚀方法，包括以下步骤：S1、刻蚀去除第一材料层的表层部分；S2、刻蚀第二材料层，直至第二材料层低于或平齐于第一材料层的填充部分；S3、沉积覆盖掩膜层的保护层，同时刻蚀第一材料层的填充部分和第二材料层，直至填充部分达到第一指定刻蚀深度。本发明实施例提供的晶圆刻蚀方法，其可以对第二材料层(例如氮化钛层)的刻蚀深度进行精准控制，从而可以解决因第二材料层无法及时刻蚀而导致的第一材料层(例如钨)的刻蚀深度均匀性较差的问题。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113451126 A
(43)申请公布日 2021.09.28
(21)申请号 202110765593.0
(22)申请日 2021.07.07
(71)申请人 北京北方华创微电子装备有限公司
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