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2023-06-23 发布于四川
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一种氮化镓高电子迁移率晶体管及其制备方法与应用.pdf

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本发明提供一种氮化镓高电子迁移率晶体管及其制备方法与应用，所述晶体管包括衬底、氮化镓外延层、氮化铝镓势垒层、氧化铝介电层、未被氧化p型氮化镓层、已被氧化p型氮化镓层、源漏极和栅极。所述制备方法包括：(1)在氮化镓外延片上形成有源区；(2)对器件进行高密度氧等离子体处理，依次形成已被氧化p型氮化镓层和氧化铝介电层；(3)刻蚀源漏区表面未被氧化p型氮化镓层，生长金属，分别独立地形成源极和漏极；(4)对器件进行快速热退火，形成欧姆接触；(5)在未被氧化p型氮化镓层表面沉积栅极金属，形成栅极，得到氮化镓

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113437147 A (43)申请公布日 2021.09.24 (21)申请号 202110709549.8 (22)申请日 2021.06.25 (71)申请人西交利物浦大学地址

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