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本申请公开了制备三维存储器的方法。该方法包括：在衬底上形成下部叠层结构并且在下部叠层结构的远离衬底的一侧上形成连接层；形成穿透下部叠层结构的第一沟道孔和穿透连接层的贯穿孔；利用扩孔插塞作为蚀刻阻挡结构扩大贯穿孔的至少部分的孔径，以形成第二沟道孔；以及利用气体对第二沟道孔的内侧表面的至少部分以及扩孔插塞的侧表面的至少部分中的至少之一进行表面处理改性。通过根据本申请的制备三维存储器的方法，能够在后续加工工艺中减少对下部叠层结构中的沟道孔的内侧壁的损伤。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113471209 B
(45)授权公告日 2022.07.05
(21)申请号 202110733075.0 H01L 27/11575 (2017.01)
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