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本发明提供一种改善栅极氧化层均匀度的方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)提供已制成浅沟槽隔离结构的半导体基底；(2)通过热氧化的方式在所述半导体基底上生长第一热氧化层；(3)通过高温氧化的方式在所述第一热氧化层上沉积第二沉积氧化层，从而形成目标栅极氧化层；(4)对所述目标栅极氧化层进行退火处理以得到最终栅极氧化层。本发明提供的改善栅极氧化层均匀度方法能够避免MOS器件从浅沟槽隔离结构拐角处击穿，而且能够打破栅极氧化层厚度限制，这在很大程度上可以有效地改善器件性能及可靠性。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113451119 A
(43)申请公布日
2021.09.28
(21)申请号 20201
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