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2023-06-23 发布于四川
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半导体装置的制造方法.pdf

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提出一种半导体装置的制造方法。本文描述了测试垫结构及测试垫的形成方法。一种用于形成测试垫的方法，包括：形成装置元件于基板上方；沉积介电层于装置元件及基板上方；以及蚀刻开口于介电层中至第一深度。一旦形成开口，沉积导电材料于开口中，随后化学机械平坦化，以形成测试垫的第一栅格部件及面板区，第一栅格部件从面板区纵向延伸至测试垫的周边。一旦形成，可在装置元件的晶圆接受度测试(waferacceptancetest,WAT)及/或制程控制监视(processcontrolmonitoring,PCM

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113451166 A (43)申请公布日 2021.09.28 (21)申请号 202110362815.4 (22)申请日 2021.04.02 (30)优先权数据 16/888,17

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