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本发明公开了一种半导体器件的形成方法，包括提供器件版图，分别对各初始栅极插塞槽图形周围阈值区域内的源漏插塞槽图形进行扫描，从而获得各初始栅极插塞槽图形的密度参数；根据密度参数，分别对各初始栅极插塞槽图形进行补偿，得到栅极插塞槽修正图形，且栅极插塞槽修正图形的特征尺寸随密度参数的增大而减小；刻蚀平坦层和介质层以形成栅极插塞槽。采用上述方案，在源漏插塞槽的密度较大的区域，刻蚀介质层和平坦层的速率较小，避免了在刻蚀形成栅极插塞槽时出现过刻蚀的问题。在源漏插塞槽的密度较小的区域，刻蚀介质层和平坦层的速率
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113451134 A
(43)申请公布日
2021.09.28
(21)申请号 20201
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