一种离子阱芯片的制备方法、离子阱芯片和量子计算机.pdfVIP

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2023-06-23 发布于四川
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一种离子阱芯片的制备方法、离子阱芯片和量子计算机.pdf

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本发明公开了一种离子阱芯片的制备方法、离子阱芯片和量子计算机，制备方法包括：提供衬底；在衬底的一侧形成包括多层导电层和多层介质层的层叠结构；刻蚀层叠结构形成至少两个第一开口，于第一开口中形成牺牲层；于层叠结构远离衬底的一侧形成第一光刻胶层并进行图案化；图案化后的第一光刻胶层包括第二开口，第二开口暴露位于相邻两个第一开口之间待刻蚀的层叠结构；刻蚀位于相邻两个第一开口之间待刻蚀的层叠结构，形成第三开口；沿垂直于衬底的方向，第一开口的深度大于第三开口的深度；去除牺牲层以形成囚禁离子的离子阱区，使得层叠

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113555503 B (45)授权公告日 2021.12.21 (21)申请号 202111090075.X H01J 3/00 (2006.01)