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2023-06-23 发布于四川
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本公开实施例提供一种半导体装置。半导体装置包括接点结构、第一钝化层、底导体板层、第二介电层、中间导体板层、第三介电层、顶导体板层及第二钝化层。接点结构位于第一介电层中；第一钝化层位于接点结构上；底导体板层位于第一钝化层上，且底导体板层包括多个第一子层；第二介电层位于底导体板层上；中间导体板层位于第二介电层上，且中间导体板层包括多个第二子层；第三介电层位于中间导体板层上；顶导体板层位于第三介电层上，且顶导体板层包括多个第三子层；第二钝化层位于顶导体板层上。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113451511 A (43)申请公布日 2021.09.28 (21)申请号 202110284822.7 (22)申请日 2021.03.17 (30)优先权数据 16/888,42

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