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本发明公开一种半导体器件及其形成方法，方法包括：提供包括隔离区和器件区的基底，形成贯穿无源栅极结构的控制栅层的切割沟槽，在切割沟槽中、栅极结构侧部的基底上、以及隔离区的控制栅层上依次形成第一介质层和第二介质层，且第二介质层暴露出隔离区的第一介质层；以第二介质层为掩模刻蚀去除隔离区上的第一介质层；回刻蚀第一介质层和第二介质层，直至暴露出控制栅层的顶部区域，且切割沟槽中的底部具有覆盖浮栅层的残余第一介质层。本申请形成了第一介质层和第二介质层，并在回刻蚀之前去除了隔离区上的第一介质层。残余第一介质层能
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113451318 A
(43)申请公布日
2021.09.28
(21)申请号 20201
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