高发光效率的发光二极管外延片及其制造方法.pdfVIP

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2023-06-23 发布于四川
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高发光效率的发光二极管外延片及其制造方法.pdf

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本公开提供了一种高发光效率的发光二极管外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。所述制造方法包括提供一衬底；在所述衬底上生长缓冲层；在所述缓冲层上生长N型波导层，所述N型波导层包括多个周期交替生长的第一子层和第二子层，所述第一子层为N型InGaN层，所述第二子层为N型GaN层；在每次生长完所述第一子层后，向反应室内通入氨气和氢气，对所述第一子层进行表面处理；在所述N型波导层上依次生长多量子阱层、P型波导层和电极接触层。采用该制造方法可以减少底层应力和缺陷延伸至多量子阱层，保证多量子阱层的晶体质量，

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113571607 B (45)授权公告日 2022.08.12 (21)申请号 202110610507.9 H01L 33/06 (2010.01)