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- 2023-06-23 发布于四川
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本发明提供一种沟槽原位掺杂多晶硅可控硅结构的瞬态电压抑制保护器件，包括：P型衬底，在P型衬底上生长有N型外延；在N型外延上部左侧制作有N型阱区，在N型外延上部右侧制作有与N型阱区相切的P型阱区；在N型阱区表面之下内部左侧制作有第一N+区，右侧制作有第一P+区；在P型阱区表面之下内部左侧制作有第二N+区，右侧制作有第二P+区；在N型阱区和P型阱区交界处制作有第三N+区；在第一P+区内刻蚀形成若干第一沟槽，通过原位掺杂P型多晶硅填充所述第一沟槽形成第三P+区；在第二N+区内刻蚀形成若干第二沟槽，通过
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113497032 B
(45)授权公告日 2022.01.25
(21)申请号 202111047854.1 (56)对比文件
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