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本发明公开一种MOS触发SCR器件。MOS触发SCR器件包括P型衬底、位于P型衬底上端沿衬底的长度方向依次排列的低压N阱和低压P阱，位于低压N阱和所述低压P阱上端沿衬底的长度方向依次排列的第一SN区、第一SP区、第二SN区以及第二SP区、位于低压N阱和低压P阱交界处的第三区、位于第二SN区和第三区之间或位于第一SP区和第三区之间的可调部件。通过设置可调部件于第二SN区和第三区之间或第一SP区和第三区之间，并且通过调整可调部件，能够控制SCR器件中的寄生MOS管的阈值电压，当阈值电压改变时，SCR
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113437063 A
(43)申请公布日 2021.09.24
(21)申请号 202110722637.1
(22)申请日 2021.06.28
(71)申请人 吉安砺芯半导体有限责任公司
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