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本发明涉及一种P型半导体层生长方法、LED外延层及芯片。在生长P型半导体层时,以二维生长模式生长下部分层与上部分层,以三维生长模式生长中部分层,二维生长模式下生长的层结构具有良好的晶体质量与界面质量,因此,上部分层与下部分层不仅对中部分层形成了保护,同时也保证了P型半导体层整体的界面质量。中部分层具有较高的空穴浓度、较为粗糙的表面以及同上部分层、下部分层不同的折射率,提升了电流扩展效果,增加了LED外延层出光面的总面积,向光子提供更多的机会从器件表面出射,从而增加光提取效率。此外,表面粗糙也能够
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113451454 B
(45)授权公告日 2022.08.05
(21)申请号 202010982471.2 H01L 33/10 (2010.01)
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