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- 2023-06-23 发布于四川
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本发明公开了一种基于双L型超表面结构增强二硫化钼荧光的方法,通过激发表面等离激元双共振增强二硫化钼的光致发光强度;其中,选用单层二硫化钼作为发光材料,利用基于双L型超表面结构激发表面等离激元共振,在激发波段和发射波段产生的双共振来增强二硫化钼的光吸收效率。本发明基于超表面手性结构,能够增强二硫化钼光致发光,并可以进一步探索谷自旋物理机制,调控荧光偏振态,同时本发明可应用于高性能低维材料器件,光电子器件等。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113481007 B
(45)授权公告日 2022.06.21
(21)申请号 202110812451.5 页.
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