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2023-06-23 发布于四川
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半导体元件及其制备方法.pdf

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本公开提供一种半导体元件及该半导体元件的制备方法。该半导体元件具有一第一半导体结构、一第二半导体结构以及一连接结构，该第一半导体结构具有多个第一导电特征，邻近该第一半导体结构的一上表面处设置，该第二半导体结构位在该第一半导体结构上，且具有多个第二导电特征，邻近该第二半导体结构的一下表面处设置，该连接结构位在该第一半导体结构与该第二半导体结构之间。该连接结构包括一连接层以及多个第一多孔夹层，该连接层电性耦接到该多个第一导电特征与该多个第二导电特征，该多个第一多孔夹层位在该多个第一导电特征与该多个第

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113451267 A (43)申请公布日 2021.09.28 (21)申请号 202110274395.4 (22)申请日 2021.03.15 (30)优先权数据

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