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位线结构和半导体存储器.pdfVIP

位线结构和半导体存储器.pdf

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    本发明涉及一种位线结构和半导体存储器，所述位线结构包括第一位线阵列和第二位线阵列，第一位线阵列包括沿Y方向延伸的多条第一位线，多条所述第一位线具有相同的长度，且沿X方向对齐排列；第二位线阵列包括沿所述Y方向延伸的多条第二位线，多条所述第二位线具有相同的长度，且沿所述X方向对齐排列；其中，所述第一位线阵列与所述第二位线阵列在所述X方向上不对齐，所述X方向与所述Y方向垂直。通过使所述第一位线阵列和所述第二位线阵列在所述X方向上不对齐，为位线接触结构在水平面内提供了更大的设置空间，从而可以扩大位线接触

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113451270 A (43)申请公布日 2021.09.28 (21)申请号 20201

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