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2023-06-23 发布于四川
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一种半导体器件，涉及半导体技术领域。该半导体器件包括衬底、位于衬底上的半导体叠层、位于半导体叠层上且间隔排布的源极欧姆金属和漏极欧姆金属、与源极欧姆金属接触连接的源极互连金属、与漏极欧姆金属接触连接的漏极互连金属、位于源极互连金属与漏极互连金属之间且与半导体叠层接触连接的栅极金属，以及位于半导体叠层上且与源极互连金属形成金属互连的源场板；其中，源场板位于源极互连金属和漏极互连金属之间，源场板至漏极欧姆金属的距离小于源场板至漏极互连金属的距离。该半导体器件能够在不额外增加器件面积的条件下减小源极和

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113506821 B (45)授权公告日 2021.12.14 (21)申请号 202111052909.8 H01L 29/778 (2006.01)

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