一种获取氘氚中子源能谱和角分布的方法.pdfVIP

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2023-06-24 发布于四川
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一种获取氘氚中子源能谱和角分布的方法.pdf

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本发明公开了一种获取氘氚中子源能谱和角分布的方法，采用基于SiC探测器的D‑T中子辐射场测量系统，可同时测量两种反应的伴随粒子，能谱上可区分，得到α粒子和质子的计数率；考虑了D‑T反应中由于靶沉积导致的D‑D反应的影响，获得D‑T、D‑D中子源的能谱和角分布，有效提升了能谱和角分布精确度；本发明的方法对伴随粒子的管道，光栅等靶管相关参数并无要求，操作简单，只需要测量一组数据即可得到全空间的能谱分布，不需要逐一测量不同角度，可对所有D‑T中子源进行测量；且本发明的方法可应用于在有伴随粒子通道预留的

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116299648 A (43)申请公布日 2023.06.23 (21)申请号 202211661147.6 (22)申请日 2022.12.23 (71)申请人中国原子能科学研究院地址 10