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本发明提供了一种同时提高微米级NdFeB基永磁厚膜剩余磁化强度和矫顽力的方法。该方法为在NdFeB基厚膜生长过程引入组合层，使组合层介于硬磁层之间，所述组合层排列结构为：隔离层/软磁层/隔离层。组合层中的非磁层充当隔离层以一定程度上增大矫顽力，软磁层通过与硬磁层厚膜之间的长程相互作用提高剩余磁化强度。所述隔离层优选为Ta，软磁层为优选Fe。当组合层插入7层，且其中软磁层厚度为80nm时，使永磁厚膜的剩余磁化强度达到1.2T，且矫顽力维持在1.5T以上。该方法为NdFeB基永磁厚膜在MEMS、微型
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116313475 A
(43)申请公布日 2023.06.23
(21)申请号 202310171756.1
(22)申请日 2023.02.28
(71)申请人 中国科学院金属研究所
地址 11
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