一种半导体结构及其制造方法.pdfVIP

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2023-06-25 发布于四川
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一种半导体结构及其制造方法.pdf

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本发明揭示了一种半导体结构及制造方法，所述方法包括：提供第一基板，所述第一基板包括安装于所述第一基板一个表面的第一锡球；在所述表面上安装第一芯片；将所述第一芯片与所述基板导通；在所述第一基板及所述第一芯片上注塑，形成第一封装层，覆盖所述第一基板、所述第一锡球以及所述第一芯片；在所述第一封装层中开设连接槽，暴露出所述第一锡球；以及在所述连接槽的内部进行第二锡球填充，直至所述第二锡球齐平或者超过所述第一封装层的上表面，以获得第一模组。本发明通过采用植球工艺将锡球填充到连接槽的内部，代替了传统的铜柱制

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116313855 A (43)申请公布日 2023.06.23 (21)申请号 202310242029.X H01L 23/538 (2006.01) (22)申请日 2023.03