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- 2023-06-25 发布于四川
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本发明公开了一种过渡金属硫族化合物温敏层及温度传感器，所述温敏层的厚度为1～100nm；所述的温敏层为过渡金属硫族化合物及其合金材料沉积形成；所述的过渡金属硫族化合物为MX2，M＝Mo、W或Nb；X＝S、Se或Te；所述的过渡金属硫族化合物合金为M1‑xNxX2(1‑y)Y2y，M/N＝Mo、W或Nb；X/Y＝S、Se或Te；其中x＝0～1，y＝0～1。当温度发生变化时，温敏层的电阻会发生变化，通过测量金属插指电极间的电阻，即可实现对温度的检测。本发明的温度传感器具有结构简单，成本低廉，并且在超
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116295898 A
(43)申请公布日 2023.06.23
(21)申请号 202310257245.1
(22)申请日 2023.03.16
(71)申请人 西北工业大学
地址 710068
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