一种低电容低残压TVS器件的制备方法及TVS器件.pdfVIP

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2023-06-25 发布于四川
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一种低电容低残压TVS器件的制备方法及TVS器件.pdf

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本发明提供一种低电容低残压TVS器件的制备方法及TVS器件，包括：步骤S1，于N型衬底的预定区域形成P型埋层；步骤S2，于上述表面形成外延过渡层，并于外延过渡层上生长N型外延层；步骤S3，于N型外延层中形成SN层、SP层；步骤S4，于N型外延层中刻蚀形成深槽，深槽中原位填充多晶硅，深槽包括两个第一深槽和两个第二深槽；步骤S5，于上述表面淀积介质层、刻蚀接触孔以及淀积金属层。有益效果：本发明创新性的采用NPN结构，通过精确控制隔离深槽的深度保证器件的通流能力，同时降低了钳位电压，可广泛应用于各种高

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116314176 A (43)申请公布日 2023.06.23 (21)申请号 202310055077.8 H01L 29/06 (2006.01)