一种钙钛矿发光二极管及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-06-26 发布于四川
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一种钙钛矿发光二极管及其制备方法.pdf

本申请涉及发光二极管技术领域,具体为一种蓝光钙钛矿发光二极管,包括钙钛矿发光层,所述钙钛矿发光层包括钙钛矿、大基团有机卤化物和卤代有机卤化物,其中,所述大基团有机卤化物包括有机氯化胺LCl或者有机溴化胺LBr,L为离子半径大于300皮米的正一价有机胺离子;所述卤代有机卤化物包括卤代有机氯化胺MCl或者卤代有机溴化胺MBr,其中M为含有碳卤键(C‑F/C‑Cl/C‑Br)且正一价的有机胺离子,能够提高蓝光钙钛矿发光二极管的发光效率,并且保证蓝光稳定发射。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116322257 A (43)申请公布日 2023.06.23 (21)申请号 202310383560.9 H10K 71/40 (2023.01) (22)申请日 2023.04.

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