一种具有嵌入温度监测单元的GaN器件的过温保护电路.pdfVIP

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2023-06-26 发布于四川
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一种具有嵌入温度监测单元的GaN器件的过温保护电路.pdf

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本发明属于GaN功率电子技术领域，具体涉及一种具有嵌入温度监测单元的GaN器件的过温保护电路。本发明是基于内部嵌入分布式温度监测单元的GaN功率器件作过温保护设计，所以从结构上区别于其他电路，无需专门围绕GaN功率器件设计结温监测支路，在设计结构上更简便。其次，由于内部的温度监测单元直接集成在GaN器件热源热点(漂移区栅极漏侧)附近，因而温度监测单元直接体现热点的温度信息，相对比在GaN器件外部设计温度监测与保护电路，该设计电路温度监测准确度更高。同时，单片集成电路能够减小电路中互联引起的寄生效

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116316450 A (43)申请公布日 2023.06.23 (21)申请号 202310315607.8 (22)申请日 2023.03.28 (71)申请人电子科技大学