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2023-06-26 发布于四川
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互连结构及其形成方法.pdf

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本文描述的实施例总体涉及用于形成互连结构的一个或多个方法和由此形成的结构，互连结构诸如包括导线和导电通孔的双镶嵌互连结构。在一些实施例中，穿过半导体衬底上方的一个或多个介电层形成互连开口。互连开口具有通孔开口和位于通孔开口上方的沟槽。在通孔开口中形成导电通孔。对沟槽的一个或多个暴露的介电表面实施成核增强处理。在沟槽的一个或多个暴露的介电表面上的沟槽中和导电通孔上形成导线。本发明实施例涉及互连结构及其形成方法。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116314013 A (43)申请公布日 2023.06.23 (21)申请号 202310350517.2 (22)申请日 2018.11.07 (30)优先权数据